型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC047N08NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 参考包装数量:5000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSC048N025SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC050N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 20000 | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC050N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 25000 | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC046N02KSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 15000 | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC042NE7NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
BSC042N03ST | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |