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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMP2012SN-7
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DMP2012SN-7

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简述:MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMP2012SN-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMP2018LFK-7 Diodes Inc 6-UDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2022LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 6573 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2033UCB9-7 Diodes Inc * MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2008UFG-7 Diodes Inc * MOSF P CH 20V 12A POWERDI3333-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP2004WK-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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DMP2012SN-7参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):700mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):180pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

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