| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC016N03MSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 17978 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC016N04LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 20000 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC016N06NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSF N CH 60V 30A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC017N04NSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC016N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC014NE2LSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC014N06NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSF N CH 60V 30A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
