型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC016N03LSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 参考包装数量:5000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSC016N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 17978 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC016N04LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 20000 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC016N06NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSF N CH 60V 30A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC014NE2LSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC014N06NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSF N CH 60V 30A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC014N04LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSF N CH 40V 32A SUPERSO8 FL | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |