收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSC014NE2LSI
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSC014NE2LSI

Infineon Technologies 8-PowerTDFN 10000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSC014NE2LSI相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSC016N03LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC016N03MSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 17978 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC016N04LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 20000 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC014N06NS Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSF N CH 60V 30A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC014N04LS Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSF N CH 40V 32A SUPERSO8 FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC014N03MSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSC014NE2LSI参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2700pF @ 12V
功率 - 最大值:74W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别