| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT75SK120D1G |
Microsemi Power Products Group | D1 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 110A 357W D1 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT75SK120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1200V 110A 357W SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT75SK120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT75SK170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 120A 520W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT75H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT75H60T2G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
| APTGT75H60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 5 | POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
