型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT75H60T1G |
Microsemi Power Products Group | SP1 | 5 | 询价QQ: |
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简述:POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTGT75H60T2G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
APTGT75H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT75SK120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 110A 357W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT75H120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT75DU120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | |
APTGT75DSK60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... |