型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT50TDU60PG |
Microsemi Power Products Group | SP6 | 询价QQ: |
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简述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTGT50TL601G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 3 | POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
APTGT50X60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 25 | IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
APTGT580U60D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | IGBT 600V 760A 1600W D4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT50TDU170PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三,双 - 共源 电压 - 集电极发射极击穿... | |
APTGT50TA60PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT50TA170PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |