| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT50DA120D1G |
Microsemi Power Products Group | D1 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 75A 270W D1 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT50DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 75A 277W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT50DA170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 70A 310W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT50DA170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1700V 75A 312W SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT50A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT50A170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT50A170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
