收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT50A60T1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGT50A60T1G

Microsemi Power Products Group SP1
询价QQ:
简述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT50A60T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT50DA120D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 1200V 75A 270W D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT50DA120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT 1200V 75A 277W SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT50DA170D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 1700V 70A 310W D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT50A170TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT50A170T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT50A170D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...

APTGT50A60T1G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):80A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):3.15nF @ 25V
功率 - 最大:176W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别