收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT400SK60D3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGT400SK60D3G

Microsemi Power Products Group D3
询价QQ:
简述:IGBT 600V 500A 1250W D3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT400SK60D3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT400U120D4G Microsemi Power Products Group D4 IGBT 1200V 600A 2250W D4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT400U170D4G Microsemi Power Products Group D4 IGBT 1700V 800A 2080W D4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT450A60G Microsemi Power Products Group SP6 10 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT400SK120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT 1200V 560A 1785W SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT400SK120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 580A 2100W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT400DU120G Microsemi Power Products Group SP6 10 IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...

APTGT400SK60D3G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,400A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500A
电流 - 集电极截止(最大):500µA
Vce 时的输入电容 (Cies):24nF @ 25V
功率 - 最大:1250W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别