| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT400SK120D3G |
Microsemi Power Products Group | D3 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 580A 2100W D3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT400SK120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 560A 1785W SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT400SK60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 600V 500A 1250W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT400U120D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | IGBT 1200V 600A 2250W D4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT400DU120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 10 | IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双，共源 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... |
| APTGT400DA60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 600V 500A 1250W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT400DA120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 560A 1785W SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
