型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT35H120T3G |
Microsemi Power Products Group | SP3 | 询价QQ: |
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTGT35SK120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 55A 205W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT35X120T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 2 | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
APTGT400A120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT35H120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT35DA120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 55A 205W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT35A120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |