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APTGT35DA120D1G

Microsemi Power Products Group D1
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简述:IGBT 1200V 55A 205W D1
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与APTGT35DA120D1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGT35DA120D1G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,35A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):55A
电流 - 集电极截止(最大):5mA
Vce 时的输入电容 (Cies):2.5nF @ 25V
功率 - 最大:205W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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