| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT30GF60JU2 |
Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 38 | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 58A 192W SOT227 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT30GF60JU3 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 35 | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... |
| APT30GN60BDQ2G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | IGBT 600V 63A 203W TO247 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| APT30GN60BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 60 | IGBT 600V 63A 203W TO247 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| APT30F60J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
| APT30F50B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 202 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT30DS60S | Microsemi Power Products Group | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA | DIODE SERIES 20A 600V D3PAK | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：4V @ 30A 电流 - 在 ... |
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