收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APT30F60J
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT30F60J

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与APT30F60J相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT30GF60JU2 Microsemi Power Products Group ISOTOP 38 IGBT 600V 58A 192W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT30GF60JU3 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 35 IGBT 600V 58A 192W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT30GN60BDQ2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 30 IGBT 600V 63A 203W TO247 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
APT30F50B Microsemi Power Products Group TO-247-3 202 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30DS60S Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA DIODE SERIES 20A 600V D3PAK 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):4V @ 30A 电流 - 在 ...
APT30DS60BG Microsemi Power Products Group TO-247-2 DIODE SERIES 2X20A 600V TO-247 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):4V @ 30A 电流 - 在 ...

APT30F60J参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:215nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:8590pF @ 25V
功率 - 最大:355W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别