收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > APT25GT120BRDQ2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT25GT120BRDQ2G

Microsemi Power Products Group TO-247-3 93
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 54A 347W TO247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT25GT120BRDQ2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT25GT120BRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 8631 IGBT 1200V 54A 347W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT25M100J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT26F120B2 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 36 MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT25GT120BRDLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 30 IGBT 1200V 54A 347W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT25GP90BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 29 IGBT 900V 72A 417W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V Vge, I...
APT25GP90BDQ1G Microsemi Power Products Group TO-247-3 42 IGBT 900V 72A 417W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V Vge, I...

APT25GT120BRDQ2G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):54A
功率 - 最大:347W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别