型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT25M100J |
Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 参考包装数量:10 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT26F120B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 36 | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT26F120L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 32 | MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT26M100JCU2 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | MOSFET N CH 1000V 26A SIC SOT227 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
APT25GT120BRG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 8631 | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... |
APT25GT120BRDQ2G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 93 | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... |
APT25GT120BRDLG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... |