收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > MMBV2105LT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMBV2105LT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:DIODE TUNING SS 30V SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBV2105LT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBV2107LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT-23 电容@ Vr, F:24.2pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件...
MMBV2107LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT-23 电容@ Vr, F:24.2pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件...
MMBV2108LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT-23 电容@ Vr, F:29.7pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件...
MMBV2105LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT23 电容@ Vr, F:16.5pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件...
MMBV2101LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT23 电容@ Vr, F:7.5pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件:...
MMBV2101LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT23 电容@ Vr, F:7.5pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件:...

MMBV2105LT1G参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:16.5pF @ 4V,1MHz
电容比:3.2
电容比条件:C2/C30
电压 - 峰值反向(最大):30V
二极管类型:单一
在 Vr、F 时的 Q 值:400 @ 4V,50MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别