型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT150GN60B2G |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 26 | 询价QQ: |
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简述:IGBT 600V 220A 536W SOT227 参考包装数量:10 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT150GN60J | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 22 | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 35 | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg... |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 50 | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
APT150GN120J | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 205 | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
APT14M120B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 96 | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |