收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APT100M50J
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT100M50J

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 60
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与APT100M50J相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT100S20BG Microsemi Power Products Group TO-247-2 191 DIODE SCHOTTKY 120A 200V TO-247 二极管类型:肖特基 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (...
APT100S20LCTG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 163 DIODE SCHOTTKY 200V TO264 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):950mV @ 100A 电流 ...
APT102GA60B2 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 IGBT 600V 183A 780W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
APT100GT60JRDQ4 Microsemi Power Products Group ISOTOP 81 IGBT 600V 148A 500W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT100GT60JR Microsemi Power Products Group ISOTOP 31 IGBT 600V 148A 500W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT100GT60B2RG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 IGBT 600V 148A 500W SOT247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...

APT100M50J参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:38 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:620nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:24600pF @ 25V
功率 - 最大:960W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别