型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
---|---|---|---|---|---|
ALD111933SAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 100 | 询价QQ: |
|
简述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 参考包装数量:50 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
---|---|---|---|---|---|
ALD112 | Panasonic Electric Works | 14573 | RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 12V | ... | |
ALD114804APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 25 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型:4 N 沟道,配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD114804ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 96 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型:4 N 沟道,配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD111933PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 46 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD111933MAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) | 48 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD1117SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 52 | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOIC | FET 型:2 P 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |