| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ALD114804APCL |
Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 25 | 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP 参考包装数量：25 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD114804ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 96 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD114804PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 25 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD114804SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 81 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD112 | Panasonic Electric Works | 14573 | RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 12V | ... | |
| ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 100 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD111933PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 46 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
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