收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ALD111933MAL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ALD111933MAL

Advanced Linear Devices Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 48
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与ALD111933MAL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ALD111933PAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 46 MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD111933SAL Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 100 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD112 Panasonic Electric Works 14573 RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 12V ...
ALD1117SAL Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 52 MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOIC FET 型:2 P 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 157 MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP FET 型:2 P 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD1116SAL Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 891 MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8SOIC FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

ALD111933MAL参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)配对
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.9mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 欧姆 @ 5.9V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.35V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别