| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ALD1117PAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 157 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD1117SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 52 | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOIC | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD111933MAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 48 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD111933PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 46 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD1116SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 891 | MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD1116PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 52 | MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD1115SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... |
