型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SK3863(TE16L1,Q) |
Toshiba | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 500V 5A DP 参考包装数量:2000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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2SK3868(Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SK3869(Q) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 450V 10A TO220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SK3878(F) | Toshiba | TO-3P-3,SC-65-3 | MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SK3846(Q) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 40V 26A TO220NIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK3845(Q) | Toshiba | TO-3P-3,SC-65-3 | MOSFET N-CH 60V 70A TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK3844(Q) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |