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2SK3846(Q)

Toshiba TO-220-3 整包
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简述:MOSFET N-CH 40V 26A TO220NIS
参考包装数量:50
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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2SK3846(Q)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):26A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1980pF @ 10V
功率 - 最大值:25W
安装类型:通孔

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