型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SK3811-ZP-E1-AY |
Renesas Electronics America | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 800 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 参考包装数量:800 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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2SK3812-ZP-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 800 | MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
2SK3813-AZ | Renesas Electronics America | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 980 | MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
2SK3814-AZ | Renesas Electronics America | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | MOSFET N-CH 60V MP-3/TO-251 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK3799(Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SK3798(Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SK3797(Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |