| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SK3799(Q,M) |
Toshiba | TO-220-3 整包 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS 参考包装数量：50 参考包装形式：散装 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| 2SK3811-ZP-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2SK3812-ZP-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2SK3813-AZ | Renesas Electronics America | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 980 | MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2SK3798(Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| 2SK3797(Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| 2SK3796-4-TL-E | ON Semiconductor | SC-75，SOT-416 | MOSFET J-FET N-CH 30V 10MA SMCP | 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：2.5mA @ 10V ... |
