| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SK3667(Q,M) |
Toshiba | TO-220-3 整包 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| 2SK3669(TE16L1,NQ) | Toshiba | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| 2SK3700(F) | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| 2SK3702 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2SK3667(Q) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| 2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET J-FET N-CH 30V 10MA CP | 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：2.5mA @ 10V ... | |
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 15000 | JFET N-CH 30V 10MA 3CP | 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：1.2mA @ 10V ... |
