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2SK3666-4-TB-E

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET J-FET N-CH 30V 10MA CP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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2SK3666-4-TB-E参数资料

PDF资料下载:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):2.5mA @ 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
漏极电流 (Id) - 最大:10mA
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V
电阻 - RDS(开):200 欧姆
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)

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