型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SK3666-2-TB-E |
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 询价QQ: |
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简述:IC JFET N-CH 30V 10MA CP 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 15000 | JFET N-CH 30V 10MA 3CP | 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V ... |
2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET J-FET N-CH 30V 10MA CP | 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):2.5mA @ 10V ... | |
2SK3667(Q) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SK3662(F) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK3569(Q,M) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SK3569 | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220SIS | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |