收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK3399(Q)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK3399(Q)

Toshiba TO-220-3(SMT)标片
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
参考包装数量:50
参考包装形式:散装

与2SK3399(Q)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK3403(Q) Toshiba TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK34260TL Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 10000 JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):107µA ...
2SK3437(Q) Toshiba TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3391JXTL Renesas Electronics America TO-243AA MOSFET N-CH 17V 300MA UPAK 晶体管类型:N 通道 频率:836MHz 增益:- 电压 - 测试:13.7V ...
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba SC-97 MOSFET N-CH 250V 20A SC-97 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK3387(TE24L,Q) Toshiba SC-97 MOSFET N-CH 150V 18A SC-97 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2SK3399(Q)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1750pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别