收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > JFET(结点场效应 > 2SK34260TL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK34260TL

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 10000
询价QQ:
简述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与2SK34260TL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK3437(Q) Toshiba TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3444(TE24L,Q) Toshiba SC-97 MOSFET N-CH 200V 25A SC-97 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK3403(Q) Toshiba TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3399(Q) Toshiba TO-220-3(SMT)标片 MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3391JXTL Renesas Electronics America TO-243AA MOSFET N-CH 17V 300MA UPAK 晶体管类型:N 通道 频率:836MHz 增益:- 电压 - 测试:13.7V ...

2SK34260TL参数资料

PDF资料下载:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):107µA @ 2V
漏极至源极电压(Vdss):20V
漏极电流 (Id) - 最大:2mA
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)

最近更新

型号类别