收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK2095N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK2095N

Rohm Semiconductor TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

与2SK2095N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK2103T100 Rohm Semiconductor TO-243AA MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK214-E Renesas Electronics America TO-220-3 MOSFET N-CH 160V 0.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2173 Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 60V 50A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2094TL Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK1930(TE24L,Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK1530-Y(F) Toshiba TO-3PL MOSFET N-CH 200V 12A TO-3PL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2SK2095N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1600pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别