型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SK1930(TE24L,Q) |
Toshiba | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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2SK2094TL | Rohm Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK2095N | Rohm Semiconductor | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK2103T100 | Rohm Semiconductor | TO-243AA | MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK1530-Y(F) | Toshiba | TO-3PL | MOSFET N-CH 200V 12A TO-3PL | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK1529-Y(F) | Toshiba | TO-3P-3,SC-65-3 | MOSFET N-CH 180V 10A TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SK1489(Q) | Toshiba | TO-3PL | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-3PL | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |