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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK1930(TE24L,Q)
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2SK1930(TE24L,Q)

Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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2SK1930(TE24L,Q)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装

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