| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PTFA211801EV5 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | FET RF LDMOS 180W H36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.5dB 电压 - 测试... | ||
| PTFA211801EV5R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | FET RF LDMOS 180W H36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.5dB 电压 - 测试... | ||
| PTFA212001EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.8dB 电压 - 测试... | ||
| PTFA212001EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.8dB 电压 - 测试... | ||
| PTFA212001FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.8dB 电压 - 测试... | ||
| PTFA212001FV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.8dB 电压 - 测试... | ||
| PTFA220041MV4 | Infineon Technologies | 10-LDFN 裸露焊盘 | FET RF LDMOS 4W SON10 | 晶体管类型：LDMOS 频率：940MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA220081MV4 | Infineon Technologies | 10-LDFN 裸露焊盘 | FET RF LDMOS 8W SON10 | 晶体管类型：LDMOS 频率：940MHz 增益：20.7dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA220121MV4 | Infineon Technologies | 10-LDFN 裸露焊盘 | FET RF LDMOS 10W SON10 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：16.2dB 电压 - 测试... | ||
| PTFA240451EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.48GHz 增益：14dB 电压 - 测试：2... | ||
| PTFA260451EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.68GHz 增益：15dB 电压 - 测试：2... | ||
| PTFA261301EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.68GHz 增益：13.5dB 电压 - 测试... | ||
| PTFB191501EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：1.99GHz 增益：18dB 电压 - 测试：3... | ||
| PTFB191501EV1R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：1.99GHz 增益：18dB 电压 - 测试：3... | ||
| PTFB191501FV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：1.99GHz 增益：18dB 电压 - 测试：3... | ||
| PTFB191501FV1R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：1.99GHz 增益：18dB 电压 - 测试：3... | ||
| PTFB210801FAV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | FET RF LDMOS 80W H37265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.16GHz ~ 2.17GHz 增益：18.5... | ||
| PTFB210801FAV1R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | FET RF LDMOS 80W H37265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.16GHz ~ 2.17GHz 增益：18.5... | ||
| PTFB211501EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.17GHz 增益：18dB 电压 - 测试：3... | ||
| PTFB211501EV1R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.17GHz 增益：18dB 电压 - 测试：3... |
