| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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PTFA212001FV4R250 |
Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | 询价QQ： |
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| 简述：IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 参考包装数量：250 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| PTFA220041MV4 | Infineon Technologies | 10-LDFN 裸露焊盘 | FET RF LDMOS 4W SON10 | 晶体管类型：LDMOS 频率：940MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | |
| PTFA220081MV4 | Infineon Technologies | 10-LDFN 裸露焊盘 | FET RF LDMOS 8W SON10 | 晶体管类型：LDMOS 频率：940MHz 增益：20.7dB 电压 - 测试：... | |
| PTFA220121MV4 | Infineon Technologies | 10-LDFN 裸露焊盘 | FET RF LDMOS 10W SON10 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：16.2dB 电压 - 测试... | |
| PTFA212001FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.8dB 电压 - 测试... | |
| PTFA212001EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.8dB 电压 - 测试... | |
| PTFA212001EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：2.14GHz 增益：15.8dB 电压 - 测试... |
