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首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > PTFB191501FV1R250
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PTFB191501FV1R250

Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:FET RF LDMOS 150W H37248-2
参考包装数量:250
参考包装形式:带卷 (TR)

与PTFB191501FV1R250相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PTFB210801FAV1R250 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 FET RF LDMOS 80W H37265-2 晶体管类型:LDMOS 频率:2.16GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5...
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PTFB191501EV1R250 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 FET RF LDMOS 150W H36248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:1.99GHz 增益:18dB 电压 - 测试:3...
PTFB191501EV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 FET RF LDMOS 150W H36248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:1.99GHz 增益:18dB 电压 - 测试:3...

PTFB191501FV1R250参数资料

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晶体管类型:LDMOS
频率:1.99GHz
增益:18dB
电压 - 测试:30V
额定电流:-
噪音数据:-
电流 - 测试:1.2A
功率 - 输出:150W
电压 - 额定:65V

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