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首页 > 元器件分类 > 半导体模块 > IGBT M开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
MWI50-12A7 IXYS E2 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MWI50-12A7T IXYS E2 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MWI50-12E6K IXYS E1 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120...
MWI50-12E7 IXYS E2 MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MWI50-12T7T IXYS E2 MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12...
MWI60-06G6K IXYS E1 MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
MWI60-12T6K IXYS E1 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12...
MWI75-06A7 IXYS E2 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
MWI75-06A7T IXYS E2 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
MWI75-12A8 IXYS E3 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MWI75-12A8T IXYS - IGBT E9PACK IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MWI75-12E8 IXYS E3 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MWI75-12T7T IXYS E2 IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12...
MWI75-12T8T IXYS E3 IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12...
MWI80-12T6K IXYS E1 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12...

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