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MWI75-12T8T

IXYS E3
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简述:IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
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与MWI75-12T8T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MWI75-12T8T参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道
配置:三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):110A
电流 - 集电极截止(最大):3mA
Vce 时的输入电容 (Cies):5.35nF @ 25V
功率 - 最大:360W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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