收藏本站

首页 > 元器件分类 > 半导体模块 > IGBT A开头
元件索引: A C F G H I M Q S V 5
型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
APTGT25SK120D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 1200V 40A 140W D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT25X120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT300A120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300A120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300A170D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300A170G Microsemi Power Products Group SP6 4 IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300A60D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT300A60G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT300A60TG Microsemi Power Products Group * 9 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT300DA120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 440A 1250W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300DA120G Microsemi Power Products Group SP6 14 IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300DA170D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1700V 530A 1470W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300DA170G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT 1700V 400A 1660W SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300DA60D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 600V 400A 940W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT300DA60G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT 600V 430A 1150W SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT300DH60G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT300DU120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT300DU170G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT TRENCH DUAL SOURCE 1700V SP IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT300DU60G Microsemi Power Products Group SP6 12 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT300H60G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...

[6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23]