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APTGT300H60G

Microsemi Power Products Group SP6
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
参考包装数量:1
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与APTGT300H60G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT300SK120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 440A 1250W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300SK120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT 1200V 420A 1380W SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300SK170D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1700V 530A 1470W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT300DU60G Microsemi Power Products Group SP6 12 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT300DU170G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT TRENCH DUAL SOURCE 1700V SP IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT300DU120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...

APTGT300H60G参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A
电流 - 集电极截止(最大):350µA
Vce 时的输入电容 (Cies):24nF @ 25V
功率 - 最大:1150W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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