型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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APTGT200H60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT200SK120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT200SK120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT200SK170D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT200SK60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 600V 290A 625W SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT200TL60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 14 | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT20A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT20DDA60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... | ||
APTGT20DSK60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... | ||
APTGT20H60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT20H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT20X60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT225A170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT225DA170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT225DU170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT225SK170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT25A120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT25A120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT25DA120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 40A 140W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT25H120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |