| 型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
| APTGT200H60G |
Microsemi Power Products Group
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SP6 |
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IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
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| APTGT200SK120D3G |
Microsemi Power Products Group
|
D3 |
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IGBT 1200V 300A 1050W D3 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
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| APTGT200SK120G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT 1200V 280A 890W SP6 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
|
| APTGT200SK170D3G |
Microsemi Power Products Group
|
D3 |
|
IGBT 1700V 400A 1250W D3 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
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| APTGT200SK60TG |
Microsemi Power Products Group
|
SP4 |
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IGBT 600V 290A 625W SP4 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
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| APTGT200TL60G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
14 |
POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：三级反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
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| APTGT20A60T1G |
Microsemi Power Products Group
|
SP1 |
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IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：半桥
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
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| APTGT20DDA60T3G |
Microsemi Power Products Group
|
SP3 |
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IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：双路升压斩波器
电压 - 集电极发射极击穿（... |
|
| APTGT20DSK60T3G |
Microsemi Power Products Group
|
SP3 |
|
IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：双路降压斩波器
电压 - 集电极发射极击穿（... |
|
| APTGT20H60T1G |
Microsemi Power Products Group
|
SP1 |
|
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
|
| APTGT20H60T3G |
Microsemi Power Products Group
|
SP3 |
|
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
|
| APTGT20X60T3G |
Microsemi Power Products Group
|
SP3 |
|
IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
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| APTGT225A170G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：半桥
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
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| APTGT225DA170G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT 1700V 340A 1250W SP6 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
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| APTGT225DU170G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：双，共源
电压 - 集电极发射极击穿（最大）... |
|
| APTGT225SK170G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT 1700V 340A 1250W SP6 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
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| APTGT25A120D1G |
Microsemi Power Products Group
|
D1 |
|
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：半桥
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
|
| APTGT25A120T1G |
Microsemi Power Products Group
|
SP1 |
|
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：半桥
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
|
| APTGT25DA120D1G |
Microsemi Power Products Group
|
D1 |
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IGBT 1200V 40A 140W D1 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
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| APTGT25H120T1G |
Microsemi Power Products Group
|
SP1 |
|
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 |
IGBT 类型：沟道和场截止
配置：全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
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