| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT200SK120G |
Microsemi Power Products Group | SP6 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 280A 890W SP6 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT200SK170D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT200SK60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 600V 290A 625W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT200TL60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 14 | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
| APTGT200SK120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT200H60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT200H120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
