型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
APTGT200A60T3AG |
Microsemi Power Products Group
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SP3 |
12 |
IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |
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APTGT200A60TG |
Microsemi Power Products Group
|
SP4 |
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IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |
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APTGT200DA120D3G |
Microsemi Power Products Group
|
D3 |
|
IGBT 1200V 300A 1050W D3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
  |
APTGT200DA120G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT 1200V 280A 890W SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
  |
APTGT200DA170D3G |
Microsemi Power Products Group
|
D3 |
|
IGBT 1700V 400A 1250W D3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
  |
APTGT200DA60TG |
Microsemi Power Products Group
|
SP4 |
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IGBT 600V 290A 625W SP4 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |
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APTGT200DH120G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
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IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:非对称桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |
  |
APTGT200DH60G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:非对称桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |
  |
APTGT200DU120G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
1 |
POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:双,共源
电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |
  |
APTGT200DU60TG |
Microsemi Power Products Group
|
SP4 |
10 |
POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:双,共源
电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |
  |
APTGT200H120G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
|
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
  |
APTGT200H60G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
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IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
  |
APTGT200SK120D3G |
Microsemi Power Products Group
|
D3 |
|
IGBT 1200V 300A 1050W D3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
  |
APTGT200SK120G |
Microsemi Power Products Group
|
SP6 |
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IGBT 1200V 280A 890W SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
  |
APTGT200SK170D3G |
Microsemi Power Products Group
|
D3 |
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IGBT 1700V 400A 1250W D3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |
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APTGT200SK60TG |
Microsemi Power Products Group
|
SP4 |
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IGBT 600V 290A 625W SP4 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |
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APTGT200TL60G |
Microsemi Power Products Group
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SP6 |
14 |
POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:三级反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
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APTGT20A60T1G |
Microsemi Power Products Group
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SP1 |
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IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |
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APTGT20DDA60T3G |
Microsemi Power Products Group
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SP3 |
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IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:双路升压斩波器
电压 - 集电极发射极击穿(... |
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APTGT20DSK60T3G |
Microsemi Power Products Group
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SP3 |
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IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:双路降压斩波器
电压 - 集电极发射极击穿(... |
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