| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT100SK120D1G |
Microsemi Power Products Group | D1 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 150A 520W D1 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT100SK120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 140A 480W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100SK170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 200A 695W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100SK170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1700V 150A 560W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100H60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT100H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT100H170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
