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VMO580-02F

IXYS Y3-Li 13
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简述:MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
参考包装数量:3
参考包装形式:散装

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VMO580-02F参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:580A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.8 毫欧 @ 430A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 50mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2750nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:底座安装

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