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VMO550-01F

IXYS Y3-DCB
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简述:MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
参考包装数量:2
参考包装形式:散装

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VMO550-01F参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:590A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.1 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):6V @ 110mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2000nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:50000pF @ 25V
功率 - 最大:2200W
安装类型:底座安装

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