收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > UPA610TA-T1-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

UPA610TA-T1-A

Renesas Electronics America SC-74,SOT-457
询价QQ:
简述:MOSFET LV SC-74
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与UPA610TA-T1-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
UPA610TA-T2-A Renesas Electronics America SC-59-6 MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
UPA611TA-T1-A Renesas Electronics America SC-74,SOT-457 MOSFET DL N-CH 30V 100MA SC-74 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
UPA611TA-T2-A Renesas Electronics America SC-74,SOT-457 MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
UPA607T-T2-A Renesas Electronics America SC-59-6 MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
UPA607T-T1-A Renesas Electronics America SC-59-6 MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
UPA606T-T2-A Renesas Electronics America SC-59-6 MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

UPA610TA-T1-A参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13 欧姆 @ 10mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:5pF @ 3V
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别